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  • 一种纳米态Cu7Te4半导体材料的制备方法
一种纳米态Cu7Te4半导体材料的制备方法
摘要:一种纳米态Cu7Te4半导体材料的制备方法,它涉及一种纳米态半导体材料的制备方法。它解决了现有制备纳米态半导体材料方法中采用的溶剂毒性大,制备得到的产品的纯度低的问题。制备方法:一、制备混合溶液A;二、制备Cu7Te4半导体材料前躯体;三、将Cu7Te4半导体材料前躯体过滤、洗涤,干燥。本发明是采用溶剂热法合成的方法实现了在低温、友好条件下制得Cu7Te4半导体材料前躯体。本发明得到的产品纯度高,本发明原材料价格便宜、工艺简单、设备简单,无危险性且设备造价低。
交易方式:转让
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  • 官方信息
  • 购买须知
  • 一种纳米态Cu7Te4半导体材料的制备方法申请日:2009-09-15
  • 申请号:2009100728906分类号:C01B19/04;B82B3/00;B82B3/00;C01B19/04
  • 主分类号:C01B19/04申请地址:黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
  • 专利类型:发明公开/授权时间:2012-03-28
  • 申请人: 哈尔滨工业大学 法律状态:未缴年费专利权终止
  • 发明(设计)人: 陈刚 王群 王琳 金仁成 代理机构:哈尔滨市松花江专利商标事务所
主权项:
  • 1.一种纳米态Cu7Te4半导体材料的制备方法,其特征在于Cu7Te4半导体材料的制备按以下步骤实现:一、称取0.23g的亚碲酸钠,然后依次加入5mL的去离子水、20~25mL的丙酮、5mL的联胺和0.5g的乙酸铜,而后放在磁力搅拌器上搅拌30~60min,得混合溶液A;二、将混合溶液A加入到有聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中,密封,然后在温度为160~220℃的条件下热处理12~24h,自然冷却至室温,得Cu7Te4半导体材料前躯体;三、将Cu7Te4半导体材料前躯体过滤、洗涤3~5次,然后在温度为60℃的条件下,干燥5~10h,即得纳米态Cu7Te4半导体材料;步骤二中混合溶液A的加入量为聚四氟乙烯内衬的高压反应釜容积的60%~80%。
  • 2.根据权利要求1所述的一种纳米态Cu7Te4半导体材料的制备方法,其特征在于步骤一中搅拌时间为40~50min。
  • 3.根据权利要求1或2所述的一种纳米态Cu7Te4半导体材料的制备方法,其特征在于步骤一中搅拌速度为4000~8000r/min。
  • 4.根据权利要求3所述的一种纳米态Cu7Te4半导体材料的制备方法,其特征在于步骤二中温度为170~210℃。
  • 5.根据权利要求1、2或4所述的一种纳米态Cu7Te4半导体材料的制备方法,其特征在于步骤二中热处理时间为14~20h。
  • 6.根据权利要求5所述的一种纳米态Cu7Te4半导体材料的制备方法,其特征在于步骤二中混合溶液A的加入量为聚四氟乙烯内衬的高压反应釜容积的65%~75%。
  • 7.根据权利要求1、2、4或6所述的一种纳米态Cu7Te4半导体材料的制备方法,其特征在于步骤三中洗涤次数为4次。
  • 8.根据权利要求7所述的一种纳米态Cu7Te4半导体材料的制备方法,其特征在于步骤三中依次用丙酮和去离子水进行洗涤。
  • 9.根据权利要求1、2、4、6或8所述的一种纳米态Cu7Te4半导体材料的制备方法,其特征在于步骤三中干燥时间为6~9h。
法律及基本信息

商家信息
持有人:哈尔滨工业大学
联系人:知夫子
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