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  • 一种制备BiFeO3薄膜的方法
一种制备BiFeO3薄膜的方法
摘要:一种制备BiFeO3薄膜的方法,它涉及一种制备BiFeO3薄膜的方法。本发明解决了现有的磁控溅射技术制备得到的BiFeO3薄膜中Fe含量不足的问题。方法:一、Bi1.1FeO3靶材和Fe靶材同时将Bi1.1FeO3和Fe溅射到Pt/Ti/SiO2/Si基体上;二、将步骤一溅射结束后的基体置于氧气气氛下保温5min,然后冷却至室温,即得到BiFeO3薄膜。本发明方法可以准确地控制BiFeO3薄膜的成分,制备得到的BiFeO3薄膜具有优良的铁电性能和铁磁性能。
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  • 官方信息
  • 购买须知
  • 一种制备BiFeO3薄膜的方法申请日:2009-09-10
  • 申请号:2009100728484分类号:C23C14/34;C23C14/08
  • 主分类号:C23C14/34申请地址:黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
  • 专利类型:发明公开/授权时间:2010-04-07
  • 申请人: 哈尔滨工业大学 法律状态:发明专利申请公布后的视为撤回
  • 发明(设计)人: 李宜彬 赫晓东 吕宏振 代理机构:哈尔滨市松花江专利商标事务所
主权项:
  • 1.一种制备BiFeO3薄膜的方法,其特征在于制备BiFeO3薄膜的方法按照以下步骤进行:一、Bi1.1FeO3靶材和Fe靶材同时将Bi1.1FeO3和Fe溅射到Pt/Ti/SiO2/Si基体上,控制Bi1.1FeO3靶材的溅射功率密度为1.8~2.2W/cm2,控制Fe的溅射功率密度为0.66~1.1W/cm2,溅射过程中通入氩气和氧气的混合体,其中氩气和氧气的体积比为1∶1~4∶1,气压为1.5Pa,Pt/Ti/SiO2/Si基体温度为200~500℃;二、将步骤一溅射结束后的Pt/Ti/SiO2/Si基体置于氧气气氛下,以50℃/s的速度加热至400~700℃保温5min,控制气压为1.013×105Pa,然后冷却至室温,即制备得到BiFeO3薄膜。
  • 2.根据权利要求1所述的一种制备BiFeO3薄膜的方法,其特征在于步骤一中控制Bi1.1FeO3靶材的溅射功率密度为1.8W/cm2。
  • 3.根据权利要求1或2所述的根据权利要求1所述的一种制备BiFeO3薄膜的方法,其特征在于步骤一中控制Fe靶材的溅射功率密度为1.06W/cm2。
  • 4.根据权利要求3所述的一种制备BiFeO3薄膜的方法,其特征在于步骤一中Pt/Ti/SiO2/Si基体的溅射压强为1.5Pa,Pt/Ti/SiO2/Si基体的溅射温度为450℃。
  • 5.根据权利要求1、2或4所述的一种制备BiFeO3薄膜的方法,其特征在于步骤二中退火时间为5min,温度为600℃。
法律及基本信息

商家信息
持有人:哈尔滨工业大学
联系人:知夫子
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