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  • 正交下变频接收机I、Q通道信号失配校准装置
正交下变频接收机I、Q通道信号失配校准装置
摘要:本发明公开了属于变频接收机校准技术领域的一种正交下变频接收机I、Q通道信号失配校准装置。该装置由I通道和Q通道的两个相同结构的校准模块组成,其中校准模块由十二个MOS晶体管M1-M12、两个负载电阻Rl1、Rl2、三个可调电阻Rsp1、Rsp2、Rsg、七个偏置电流源I1-I7组成。可以通过调整第一可调电阻Rsp1、第二可调电阻Rsp2的电阻值校准正交下变频接收机I、Q通道信号的相位失配,通过调整第三可调电阻Rsg的电阻值校准正交下变频接收机I、Q通道信号的幅度失配。校准装置提高了变频接收机抑制镜像信号的能力,降低了接收机误码率。校准方法简单。
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  • 官方信息
  • 购买须知
  • 正交下变频接收机I、Q通道信号失配校准装置申请日:2011-03-29
  • 申请号:201110076268X分类号:H04B1/30;H04B1/30
  • 主分类号:H04B1/30申请地址:北京市海淀区北京100084-82信箱
  • 专利类型:发明公开/授权时间:2014-01-01
  • 申请人: 清华大学 法律状态:授权
  • 发明(设计)人: 池保勇 徐阳 祁楠 王志华 代理机构:北京众合诚成知识产权代理有限公司
主权项:
  • 1.一种正交下变频接收机I、Q通道信号失配校准装置,其特征在于,所述正交下变频接收机I通道和Q通道采用相同结构的校准模块,校准模块包括晶体管、定值电阻和做校准用的可调电阻,通过调整可调电阻的电阻值校准正交下变频接收机I、Q通道信号的相位和幅度失配,具体结构如下:所述I通道校准模块Ical中第一信号输入端(1)接I通道第一信号输入(I’p),第二信号输入端(2)接I通道第二信号输入(I’n),第一校准输入端(3)、第二校准输入端(4)分别接Q通道的第三信号输入(Q’p)、第四信号信号输入(Q’n);I通道的第一信号输出端(5)接第一信号输出(I’’p)、第二信号输出端(6)接第二信号输出(I’’n);所述Q通道校准模块Qcal中第三信号输入端(7)接Q通道第三信号输入(Q’p)、第四信号输入端(8)接Q通道第四信号输入(Q’n),第三校准输入端(9)、第四校准输入端(10)分别接I通道第一信号输入(I’p),第二信号输入(I’n),Q通道第三信号输出端(19)接第三信号输出(Q’’p)、第四信号输出端(20)接第四信号输出(Q’’n;);校准模块含有:NMOS晶体管(M1),栅极接第一信号输入电压(Vip),源极接第六偏置电流源(I6)和NMOS晶体管(M12)漏极,NMOS晶体管(M1)漏极接第二信号输出电压(Von);NMOS晶体管(M2),栅极接第二信号输入电压(Vin),源极接????第七偏置电流源(I7)和NMOS晶体管(M11)漏极,NMOS晶体管(M2)漏极接第一信号输出电压(Vop);所述NMOS晶体管(M1)、NMOS晶体管(M2)源极之间接第三可调电阻(Rsg);PMOS晶体管(M3),栅极接第一校准输入电压(Vcalp),源极接第一偏置电流源(I1),漏极接第二信号输出电压(Von);PMOS晶体管(M4),栅极接第二校准输入电压(Vcaln),源极接第二偏置电流源(I2),漏极接第一信号输出电压(Vop);PMOS晶体管(M3)和PMOS晶体管(M4)源极之间接第一可调电阻(Rsp1);PMOS晶体管(M5),栅极接第二校准输入电压(Vcaln),源极接第三偏置电流源(I3),漏极接第二信号输出电压(Von);PMOS晶体管(M6),栅极接第一校准输入电压(Vcalp),源极接第四偏置电流源(I4),漏极接信号第一信号输出电压(Vop);PMOS晶体管(M5)和PMOS晶体管(M6)源极之间接第二可调电阻(Rsp2);第一负载电阻(Rl1)的一端接第二信号输出电压(Von),另一端接PMOS晶体管(M8)栅极;第二负载电阻(Rl2)的一端接第一信号输出电压(Vop),另一端接PMOS晶体管(M8)栅极;PMOS晶体管(M7),栅极接共模输入电压(Vcm),源极接第五偏置电流源(I5),漏极接NMOS晶体管(M10)栅极和漏极;PMOS晶体管(M8),栅极接第一负载电阻(Rl1)与第二负载电阻(Rl2)的一端,源极接第五偏置电流源(I5),漏极接NMOS晶体管(M9)栅极与漏极;NMOS晶体管(M9),栅极与漏极连接PMOS晶体管(M8)漏极,源极接电源(VDD);NMOS晶体管(M10),栅极与漏极连接PMOS晶体管(M7)漏极和NMOS晶体管(M11)、(M12)栅极;源极接电源(VDD);NMOS晶体管(M11),栅极接NMOS晶体管(M10)栅极,源极接电源(VDD),漏极接NMOS晶体管(M2)源极;NMOS晶体管(M12),栅极接NMOS晶体管(M10)栅极,源极接电源(VDD),漏极接NMOS晶体管(M1)源极。
  • 2.根据权利要求1所述的正交下变频接收机I、Q通道信号失配校准装置,其特征在于:校准幅度范围为±1.6dB,校准步进为0.2dB。
  • 3.根据权利要求1所述的正交下变频接收机I、Q通道信号失配校准装置,其特征在于:校准相位范围为±5°,校准步进为0.5°。
  • 4.根据权利要求1所述的正交下变频接收机I、Q通道信号失配校准装置,其特征在于:MOS晶体管(M7、M8、M9、M10、M11、M12)和第五偏置电流源(I5)构成共模反馈电路。
  • 5.根据权利要求1所述的正交下变频接收机I、Q通道信号失配校准装置,其特征在于:通过调整第一可调电阻(Rsp1)、第二可调电阻(Rsp2)的电阻值校准正交下变频接收机I、Q通道信号的相位失配,通过调整第三可调电阻(Rsg)的电阻值校准I、Q通道信号的幅度失配。
法律及基本信息

商家信息
持有人:清华大学
联系人:知夫子
联系电话: 登录后查看
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