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  • 一种高密度电阻型随机存储单元
一种高密度电阻型随机存储单元
摘要:本发明公开了存储器技术领域中的一种高密度电阻型随机存储单元。该存储单元的阻变部分嵌入在晶体管栅氧化层和栅电极层之间,通过晶体管沟道向栅极的隧穿电流对阻变层进行写操作,对存储单元的读操作直接在阻变层两端进行。该存储单元可以有效减小晶体管的体积,大大提高了电阻型随机存储器的存储密度。
交易方式:转让
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  • 官方信息
  • 购买须知
  • 一种高密度电阻型随机存储单元申请日:2011-03-29
  • 申请号:2011100766854分类号:H01L45/00;G11C11/56
  • 主分类号:H01L45/00申请地址:北京市海淀区北京市100084-82信箱
  • 专利类型:发明公开/授权时间:2011-10-05
  • 申请人: 清华大学 法律状态:发明专利申请公布后的驳回
  • 发明(设计)人: 邓宁 张树超 焦斌 陈培毅 代理机构:北京众合诚成知识产权代理有限公司
主权项:
  • 1.一种高密度电阻型随机存储单元,由晶体管和电阻型随机存储单元组成,其特征是该存储单元的阻变部分嵌入在晶体管的栅氧化层和栅电极层之间;所述阻变部分包括上电极、阻变层、下电极,上电极在阻变层之上;阻变层在下电极之上。
  • 2.根据权利要求2所述一种高密度电阻型随机存储单元,其特征是所述写操作是在阻变层进行的。
  • 3.根据权利要求2所述一种高密度电阻型随机存储单元,其特征是所述读操作是在阻变层的两端进行的。
  • 4.根据权利要求1所述一种高密度电阻型随机存储单元,其特征是所述阻变层为金属氧化物、有机材料或碳基材料。
  • 5.根据权利要求1所述一种高密度电阻型随机存储单元,其特征是所述上电极为钛Ti、铂Pt、钨W、铜Cu或多晶硅。
  • 6.根据权利要求1所述一种高密度电阻型随机存储单元,其特征是所述下电极为钛Ti、铂Pt、钨W、铜Cu或多晶硅。
法律及基本信息

商家信息
持有人:清华大学
联系人:知夫子
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