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  • 低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法
低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法
摘要:低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法,它涉及一种制备铅基铁电薄膜的方法。它解决了现有方法在铁电薄膜制备过程中晶化温度过高、织构难以控制、成本高且不利于大面积Si集成电路的应用的问题。方法:一、制备种子层薄膜A;二、在薄膜A上继续沉积钛酸铅系铁电薄膜,然后进行退火结晶处理,通过改变种子层薄膜A的厚度,得织构可控的铅基铁电薄膜。本方法在较低的晶化温度制备完成的,所得薄膜具有优异的铁电性能的同时,保持强织构、薄膜表面光滑、致密的优点,本发明工艺简单、设备简单及所用原材料价格低廉、成本低,并易于器件集成,适合于工业化生成。
交易方式:转让
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  • 官方信息
  • 购买须知
  • 低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法申请日:2009-09-08
  • 申请号:2009100728200分类号:C04B35/622;C04B35/495;C04B35/491;C04B35/462;B82B3/00
  • 主分类号:B82B3/00申请地址:黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
  • 专利类型:发明公开/授权时间:2010-03-03
  • 申请人: 哈尔滨工业大学 法律状态:发明专利申请公布后的视为撤回
  • 发明(设计)人: 费维栋 迟庆国 李伟力 代理机构:哈尔滨市松花江专利商标事务所
主权项:
  • 1、低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法,其特征在于制备织构可控的铅基铁电薄膜按以下步骤实现:一、在基底上沉积一层厚度为5~20nm的钛酸镧钙铅系铁电薄膜,然后在温度为400~450℃条件下进行退火结晶处理,得种子层薄膜A;二、在种子层薄膜A上继续沉积一层厚度为200~300nm的钛酸铅系铁电薄膜,然后在温度为450~700℃条件下进行退火结晶处理,得织构可控的铅基铁电薄膜;其中步骤一中钛酸镧钙铅系铁电薄膜的分子式为(Pb1-x-yLaxCay)Ti1-x/4O3,其中0≤X≤0.24,0≤Y≤0.24;步骤二中钛酸铅系铁电薄膜为钛酸铅铁电薄膜、锆钛酸铅铁电薄膜或铌-锆钛酸铅铁电薄膜。
  • 2、根据权利要求1所述的低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法,其特征在于步骤一中基底为Pt/Ti/SiO2/Si基底。
  • 3、根据权利要求1或2所述的低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法,其特征在于步骤一中以5~10℃/s的升温速度升温至400~450℃。
  • 4、根据权利要求3所述的低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法,其特征在于步骤一中0.10<X<0.20。
  • 5、根据权利要求3所述的低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法,其特征在于步骤一中X=0.15。
  • 6、根据权利要求1、2、4或5所述的低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法,其特征在于步骤一中0.10<Y<0.20。
  • 7、根据权利要求1、2、4或5所述的低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法,其特征在于步骤一中Y=0.15。
  • 8、根据权利要求7所述的低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法,其特征在于步骤二中在薄膜A上继续沉积一层厚度为250nm的钛酸铅系铁电薄膜。
  • 9、根据权利要求1、2、4、5或8所述的低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法,其特征在于步骤二中以5~80℃/s升温速度升温至450~700℃。
法律及基本信息

商家信息
持有人:哈尔滨工业大学
联系人:知夫子
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